大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。反映问题还是反应问题，反应问题和反映问题有什么区别和联系p>

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022反映问题还是反应问题，反应问题和反映问题有什么区别和联系年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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