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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)再婚的家庭一般过得好不好，再婚的家庭一般过得好不好生活前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加再婚的家庭一般过得好不好，再婚的家庭一般过得好不好生活工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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