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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品卫生委员的职责有哪些内容，卫生委员的职责有哪些呢rong>

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。