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写柔柳的四字词语有哪些,写春雨的四字词语

写柔柳的四字词语有哪些,写春雨的四字词语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全,防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全(quán),依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》,网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安写柔柳的四字词语有哪些,写春雨的四字词语全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手(shǒu):停(tíng)止采(cǎi)购!

  美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,写柔柳的四字词语有哪些,写春雨的四字词语2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性,巩固(gù)公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì),公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就(jiù)分析,如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露,薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉积(jī))等(děng)相关公司份额提升,以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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