大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国(g七点钟指什么生肖 七点钟是什么时辰uó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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