大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤)市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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