大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础前肖是指哪几个生肖设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(前肖是指哪几个生肖hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积前肖是指哪几个生肖设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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