大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(c却之不恭受之无愧是什么意思，却之不恭受之有愧是接受还是拒绝ǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)却之不恭受之无愧是什么意思，却之不恭受之有愧是接受还是拒绝的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大却之不恭受之无愧是什么意思，却之不恭受之有愧是接受还是拒绝供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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