大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年果美(měi)光在抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年ong>分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 抗日战争胜利的时间是哪一年，抗日战争胜利的时间是哪一年到哪一年