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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢黄姓的来源和历史名人和现状，陆终到底是不是黄姓祖先迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储黄姓的来源和历史名人和现状，陆终到底是不是黄姓祖先器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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