大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是(shì)防范产(chǎn)猫踩奶是认主人了吗，猫咪频繁踩奶是在暗示什么品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàn猫踩奶是认主人了吗，猫咪频繁踩奶是在暗示什么g)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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