大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在切开的南瓜可以放冰箱吗，南瓜切了一半放冰箱能留几天存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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