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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)上火了可以吃猕猴桃吗芭芭农场，上火了猕猴桃能吃吗市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ上火了可以吃猕猴桃吗芭芭农场，上火了猕猴桃能吃吗)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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