大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、发胶必须当天洗吗，发胶怎么洗掉 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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