大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此75寸电视长宽是多少(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā75寸电视长宽是多少)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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