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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水夜游症的孩子精神有问题吗，孩子半夜起来突然乱走乱说话(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少夜游症的孩子精神有问题吗，孩子半夜起来突然乱走乱说话已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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