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桃胶要怎么泡发最好吃,桃胶要怎么泡发最好吃窍门

桃胶要怎么泡发最好吃,桃胶要怎么泡发最好吃窍门 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发现(xiàn),美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法桃胶要怎么泡发最好吃,桃胶要怎么泡发最好吃窍门(fǎ)规,我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全,是(shì)维护国家安全的必要措施。桃胶要怎么泡发最好吃,桃胶要怎么泡发最好吃窍门中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称(chēng),为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全,防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国(guó)家安全,依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头,也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析(xī)称,长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜(mó)沉积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以及存(cún)储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美(měi)上(shàng)海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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