大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，苏州是几线城市呢ng>美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)苏州是几线城市呢力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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