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生日快乐缩写HBD,hb生日快乐缩写 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

  美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

  此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全,是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán),防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全(quán),依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》,对(duì)美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:<span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'><span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>生日快乐缩写HBD,hb生日快乐缩写</span></span>停止采购!

  美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司生日快乐缩写HBD,hb生日快乐缩写(sī)中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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