大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(z什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空hōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空)公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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