大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(你在教我做事啊是什么意思，你在教我做事啊是什么意思zài)较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán你在教我做事啊是什么意思，你在教我做事啊是什么意思)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，你在教我做事啊是什么意思，你在教我做事啊是什么意思江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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