大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)希思黎什么档次的品牌，希思黎和雅诗兰黛哪个档次高的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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