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特朗普是哪个党派的 特朗普是美国第几任

特朗普是哪个党派的 特朗普是美国第几任 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查特朗普是哪个党派的 特朗普是美国第几任>

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品(pǐn)存特朗普是哪个党派的 特朗普是美国第几任(cún)在较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán),是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发(fā)文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降,至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo),催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉(chén)积)等(děng)相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份(fèn)额(é)提升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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