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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fè涂指甲油之前要涂护甲油吗，涂指甲油之前要涂护甲油吗n)额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(ch涂指甲油之前要涂护甲油吗，涂指甲油之前要涂护甲油吗ǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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