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三大球和三小球分别是什么 三大球的起源

三大球和三小球分别是什么 三大球的起源 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ),网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tá三大球和三小球分别是什么 三大球的起源i)产品服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

三大球和三小球分别是什么 三大球的起源>  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  3月31日(rì),中国(guó)网信网发文称,为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对(duì)美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头,也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē),确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势,公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露,薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆科技(jì)(薄膜沉(chén)积(jī))等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng),以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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