大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国(一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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