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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)古代诗人称号大全全部，古代诗人称号大全诗圣诗仙等外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022古代诗人称号大全全部，古代诗人称号大全诗圣诗仙等年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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