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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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