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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律家里放什么东西蛇不敢来，家里有蛇放什么东西最怕法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好家里放什么东西蛇不敢来，家里有蛇放什么东西最怕的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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