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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响几率还是机率 概率和几率一样吗(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　几率还是机率 概率和几率一样吗美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D 几率还是机率 概率和几率一样吗NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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