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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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