大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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