大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供回族女人为什么离婚少应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(sh回族女人为什么离婚少è)备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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