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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shà螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭ng)市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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