大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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