大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范元的结构和部首是什么意思，元的结构和部首是什么字产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash 元的结构和部首是什么意思，元的结构和部首是什么字（闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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