大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设(shè)施中戏明星有哪些明星，中戏明星有哪些名单安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年中戏明星有哪些明星，中戏明星有哪些名单年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目中戏明星有哪些明星，中戏明星有哪些名单前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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