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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供each of后面加单数还是复数谓语，each of 后跟单数还是复数应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāeach of后面加单数还是复数谓语，each of 后跟单数还是复数ng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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