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35c到底有多大,35c是多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息(xī),日(rì)前(qián),网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

  此次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全(quán)审查,目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全,是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放,只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信网发35c到底有多大,35c是多少文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全,防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》,网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美(měi)国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头,也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势,公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析(xī)称(chēng),长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单,设备国产化(huà)进程加速(sù35c到底有多大,35c是多少),看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提(tí)升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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