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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，自嘲丁元英是谁写的，卜算子《自嘲》全诗2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优自嘲丁元英是谁写的，卜算子《自嘲》全诗势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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