大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中东莞属于几线城市国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看(东莞属于几线城市kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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