大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查<已婚女性英文称呼，女性英文称呼/strong>

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，已婚女性英文称呼，女性英文称呼只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头(t已婚女性英文称呼，女性英文称呼óu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。