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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)鳄雀鳝危害有多大，鳄雀鳝的最大克星问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(sh鳄雀鳝危害有多大，鳄雀鳝的最大克星èn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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