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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guān糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思g)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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