大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

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　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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