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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cúknow过去分词是什么写，know过去分词是什么词n)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星know过去分词是什么写，know过去分词是什么词、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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