大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(l在农场英语为什么用on不用at，在农场为什么用on the farmiàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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