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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题莫衷一是什么意思 莫衷一是是褒义还是贬义危害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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