大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)gta5怎么切换角色存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)gta5怎么切换角色芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 gta5怎么切换角色SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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