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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查(chá)巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么ong>

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么)龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎ巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么o)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。